曾几何时，ASML 一句 “图纸给你也造不出来”，尽显傲慢与轻视，仿佛给中国芯片产业判了 “死刑”。

但 2024 年年底，哈工大一支平均年龄仅31岁的中国团队，用实力让这句 “狂言” 不攻自破，中国芯片的绝地反击时刻已然到来！

哈工大航天学院赵永蓬教授团队成功研发出 “放电等离子体极紫外光刻光源” 项目，能提供中心波长为13.5nm的极紫外光。

要知道，极紫外光源可是EUV光刻机的核心部件，就像人的心脏一样重要。

以前，这一技术被国外垄断，如今哈工大的突破，填补了国内空白。

而且，哈工大的技术与ASML采用的激光等离子体方案不同，是以 “放电等离子体” 为基础。

它具有能量转换效率高、成本低、体积小等优点，还绕过了ASML的技术壁垒，自主性更强。

大家都知道，长期以来，EUV光刻机技术被少数国外企业攥在手里，国内企业想造高端芯片，只能看别人脸色。

哈工大这一突破，就像给我们自己造了一把 “钥匙”，有了自主研发EUV光刻机的可能，不再被别人卡脖子。

以前极紫外光源制造难、成本高，导致EUV光刻机贵得离谱。

哈工大的技术有望把极紫外光源的成本降下来，EUV光刻机的整体成本也会跟着降，这样国内企业就能更容易用上，推动芯片产业发展。

这一突破展示了我国在EUV光刻机技术上的创新实力，给国内科研机构和企业打了一针 “强心剂”，提供了宝贵经验，让我们在全球科技竞争中更有底气。

从市场数据来看，如果EUV光刻机实现量产，对于国内芯片产业成本的降低将产生巨大影响。

采用EUV光刻技术可使5纳米芯片成本降低约百分之三十。

目前台积电在5纳米及以下先进制程芯片市场占有率超百分之八十，若国内实现EUV光刻机量产，预计未来3-5年台积电市场份额可能降至百分之五十以下。

以华为为例，之前即便推出了7nm芯片，但想再进一步突破3nm等更先进芯片，就必须要EUV光刻机。哈工大的技术突破，给华为等企业带来了希望。

当然，我们也得清醒地认识到，光源技术只是EUV光刻机研发的 “第一块拼图”。

EUV 光刻机的制造难度极大，除了光源，还依赖于微缩投影光学系统、双工件台技术等核心组件。

目前国内在这些方面虽有进展，但仍需继续努力。

“路漫漫其修远兮，吾将上下而求索”，哈工大的突破只是一个开始。

中国芯片产业在绝地反击的道路上，还有很长的路要走，但只要我们保持这份创新精神和拼搏劲头，就一定能在全球芯片舞台上绽放光芒，让中国 “芯” 走向世界！